公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET Diodes

财经 2023-04-14 21:49:56 浏览
公司推出功率密度更高的工业级碳化硅

【2023年 4月 13日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Nasdaq:DIOD)推出碳化硅(SiC)系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据核心及电信电源供应、直流对直流(DC-DC)转换器和电动车(EV)电池充电器等运作,对更高效率与更高功率密度的需求。

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MOSFET

DMWS120H100SM4在高电压(1200V)和汲极电流(可达37A)的条件下运作,同时维持低导热性(RJC =0.6C/W),十分合实用于在顽劣环境中运作的运作。这款 MOSFET 的 RDS(ON)(典型值)很低,仅80m (关于15V 的闸极驱动),能将传导耗损降至最低,并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅52nC,可缩小开关耗损与升高封装温度。

本产品是市场上首款驳回 TO247-4封装的碳化硅 MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到 MOSFET 的源极,以提升切换效劳,到达更高的功率密度。

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