近期，媒体报道退化半导体成功近亿元人民币融资。据悉，退化半导体是以国内独创无铱工艺制备超宽禁带资料氧化镓为特征的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专一于以翻新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体资料。
稍早之前，镓仁半导体发表成功数千万天使轮融资。该公司是一家专一于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延资料研发、消费和开售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代资料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代资料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代资料，开展至以氧化镓为代表的第四代半导体资料。氧化镓是什么？为何遭到资本青眼？未来氧化镓能否能取代碳化硅？
第四代半导体资料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体资料到第四代半导体资料，禁带宽度逐突变大，从而愈发能在极其环境下经常使用。
Source：中国科普博览
氧化镓作为第四代资料代表，具有禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通个性好（简直是碳化硅的10倍）、资料生长老本高等好处，业界以为，未来，氧化镓极有或许成为高功率、大电压运作畛域的主导者。
基于上述好处，氧化镓失去了越来越多的关注和钻研兴味。近期，我国在钻研氧化镓方面也取得了一系列停顿。
往年3月媒体报道西安邮电大学在超宽禁带半导体钻研上取得重要停顿，该校电子工程学院治理的新型半导体器件与资料重点试验室陈海峰传授团队成功在8英寸硅片上制备出了高品质的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所发表成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低毛病等方向，从大尺寸氧化镓热场设计登程，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，打破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶功用，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。
2月，媒体报道中国迷信技术大学微电子学院龙世兵传授课题组联结中科院苏州纳米所加工平台，区分驳回氧气氛围退火和氮离子注入技术，初次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。
氧化镓能否与碳化硅竞争？
目前以碳化硅为代表的第三代半导体资料开展风头正劲，环球市场钻研机构TrendForce集邦咨询考查显示，第三代半导体包含碳化硅与氮化镓，全体产值又以碳化硅占80%为重。集邦咨询估量2023年全体碳化硅功率元件市场产值达22.8亿美元，年生长41.4%，至2026年碳化硅功率元件市场产值可望达53.3亿美元。
与碳化硅一样，氧化镓适用于高功率、大电压畛域，而相比碳化硅，氧化镓在功用和老本上更具好处，因此局部业界人士看好未来十年左右，氧化镓或许成为碳化硅的有力竞争对手，在半导体市场大放异彩。
不过短期内，氧化镓还有诸多技术瓶颈待打破。比如，因为高熔点、高温合成以及易开裂等个性，大尺寸氧化镓单晶制备较难成功，我国大尺寸氧化镓半导体资料的产出仅限于高校或许试验室，距离真正轨模化、商业化量产还必需必定时间。
在资本青眼、科研人员注重下，氧化镓正逐渐成为半导体赛道新风口。随着相干技术日渐成熟，未来氧化镓技术有望始终打破瓶颈，运作始终落地，在高功率、大电压畛域和碳化硅一样失去久远开展。
